SD1013 Spécifications techniques

TRANS RF BIPO 13W 1A M135

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 35V
Supplier Device Package M135
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 150MHz
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 13W
Package / Case M135
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 10dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 200mA, 5V
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