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SI1013X-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 250mW (Ta)
Package / Case SC-89, SOT-490
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±6V
Supplier Device Package SC-89-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Ta)
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SI1013X-T1-GE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SI1013X-T1-GE3 prix de référence. SI1013X-T1-GE3 paramètres, SI1013X-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI1013X-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI1013X-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI1013X-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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