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SI2319CDS-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 595pF @ 20V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 40V 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77 mOhm @ 3.1A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI2319CDS-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Tc)
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SI2319CDS-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SI2319CDS-T1-GE3 prix de référence. SI2319CDS-T1-GE3 paramètres, SI2319CDS-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI2319CDS-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI2319CDS-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI2319CDS-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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