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SI2333DS-T1-E3
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SI2333DS-T1-E3 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±8V |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 6V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SI2331/SK2331A | Original | Circuits intégrés spécialisés | 30500 |
SI2331DS | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 3427 |
SI2331DS-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 51427 |
SI2331DS-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1590 |
SI2331DS-T1-E3 IC | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 30374 |
SI2331DS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3224 |
SI2331DS-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 42835 |
SI2333 | SI | Circuits intégrés spécialisés | 61191 |
SI2333-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 100290 |
SI2333-TP | Micro Commercial Co | Transistors MOSFET simples |
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