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SI3439KDW-TP Spécifications techniques
N AND P-CHANNEL MOSFETSOT-363
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | Micro Commercial Co |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
FET Type | N and P-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 750mA 660mA |
FET Feature | Logic Level Gate |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Part Status | Active |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Power - Max | 150mW |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380m Ω @ 650mA, 4.5V, 520m Ω @ 1A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF 113pF @ 16V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
SI3439KDW-TP Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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SI3430DV-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 14798 |
SI3430DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Transistors MOSFET simples | |
SI3430DV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 27396 |
SI3430DV-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 66353 |
SI3430DV-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 3344 |
SI3433BDV-T1 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 6419 |
SI3433BDV-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 51916 |
SI3433BDV-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 51916 |
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