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SI4564DY-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W, 3.2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 855pF @ 20V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A, 9.2A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI4564DY-T1-GE3TR SI4564DYT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 40V 10A, 9.2A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
Base Part Number SI4564
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