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SI4953ADY-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 1.1W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 4.9A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI4953ADY-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
Base Part Number SI4953
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