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SI5519DU-T1-GE3
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SI5519DU-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 10.4W |
Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
FET Type | N and P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
SI5519DU-T1-GE3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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SI5511DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SI5511DC-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2723 |
SI5511DC-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2612 |
SI5511DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SI5513CDC | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 2578 |
SI5513CDC-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2515 |
SI5513CDC-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2724 |
SI5513CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays |
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