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SI5906DU-T1-GE3
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SI5906DU-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 10.4W |
Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 15V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 4.8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI5906DU-T1-GE3-ND SI5906DU-T1-GE3TR SI5906DUT1GE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
SI5906DU-T1-GE3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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SI5902BDC-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 3006 |
SI5902BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SI5902BDC-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 18974 |
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SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
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SI5902DC | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 3287 |
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