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SI7900AEDN-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.5W
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Base Part Number SI7900
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI7900AEDN-T1-GE3TR SI7900AEDNT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
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SI7900AEDN-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SI7900AEDN-T1-GE3 prix de référence. SI7900AEDN-T1-GE3 paramètres, SI7900AEDN-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI7900AEDN-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI7900AEDN-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI7900AEDN-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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