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SI7909DN-T1-E3
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SI7909DN-T1-E3 Spécifications techniques
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 700µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.3W |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Detailed Description | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A |
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