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SI7964DP-T1-E3 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.4W
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 9.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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SI7964DP-T1-E3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SI7964DP-T1-E3 prix de référence. SI7964DP-T1-E3 paramètres, SI7964DP-T1-E3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI7964DP-T1-E3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI7964DP-T1-E3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI7964DP-T1-E3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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