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SIA427DJ-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 4V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 8V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±5V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SIA427DJ-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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SIA427DJ-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SIA427DJ-T1-GE3 prix de référence. SIA427DJ-T1-GE3 paramètres, SIA427DJ-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SIA427DJ-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SIA427DJ-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SIA427DJ-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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