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SIS414DN-T1-GE3
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SIS414DN-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.4W (Ta), 31W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 795pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Detailed Description | N-Channel 30V 20A (Tc) 3.4W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±12V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 10A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SIS414DN-T1-GE3TR SIS414DNT1GE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
SIS414DN-T1-GE3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SIS4101PT1G | SIS | Circuits intégrés spécialisés | 5412 |
SIS410DN | VB | Circuits intégrés spécialisés | 1015 |
SIS410DN MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 1463 |
SIS410DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 17996 |
SIS410DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 17996 |
SIS410DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistors MOSFET simples | |
SiS410DN-T1-GE3 MOS | CCSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 3204 |
SIS412DN | V | Circuits intégrés spécialisés | 10490 |
SIS412DN IC | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 556 |
SIS412DN-T1-E3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 25916 |
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