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TSM250NB06DCR RLG Spécifications techniques

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Taiwan Semiconductor Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Active
Power - Max 2W Ta 48W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1461pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature Standard
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-PDFN (5x6)
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A Ta 30A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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TSM250NB06DCR RLG fabricants de marques: Taiwan Semiconductor Corporation, Bonchip action, TSM250NB06DCR RLG prix de référence. TSM250NB06DCR RLG paramètres, TSM250NB06DCR RLG Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TSM250NB06DCR RLG Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TSM250NB06DCR RLG schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TSM250NB06DCR RLG tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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