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TSM300NB06DCR RLG
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TSM300NB06DCR RLG Spécifications techniques
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | Taiwan Semiconductor Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Part Status | Active |
Power - Max | 2W Ta 40W Tc |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1079pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A Ta 25A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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