A2T18S261W12NR3 Spécifications techniques

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Test 28V
Transistor Type LDMOS
Power - Output 280W
Other Names 935338749528
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Frequency 1.805GHz ~ 1.88GHz
Current Rating 10µA
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Rated 65V
Supplier Device Package OM-880X-2L2L
Package / Case OM-880X-2L2L
Noise Figure -
Gain 18.2dB
Detailed Description RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.805GHz ~ 1.88GHz 18.2dB 280W OM-880X-2L2L
Current - Test 1.5A
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
A2T18H100-25SR3 NXP Semiconductors / Freescale Transistors - FETs, MOSFETs - RF 697
A2T18H100-25SR3 NXP USA Inc. Transistors MOSFET RF
A2T18H160-24SR3 NXP Semiconductors / Freescale Transistors - FETs, MOSFETs - RF 2523
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