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BUK652R1-30C,127 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10918pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 263W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 168nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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