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MHT1006NT1 Spécifications techniques
FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
Manufacturer | NXP Semiconductors / Freescale |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Test | 28V |
Transistor Type | LDMOS |
Power - Output | 1.26W |
Package / Case | PLD-1.5W-2 |
Gain | 21.7dB |
Current Rating | - |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Rated | 65V |
Supplier Device Package | PLD-1.5W-2 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Noise Figure | - |
Frequency | 2.17GHz |
Current - Test | 90mA |
MHT1006NT1 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MHT1000HR5 | NXP Semiconductors / Freescale | Amplificateurs RF | 2587 |
MHT1000HR5 | NXP USA Inc. | Amplificateurs RF | |
MHT1001HR5 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - FETs, MOSFETs - RF | 2564 |
MHT1001HR5 | NXP USA Inc. | Transistors MOSFET RF | |
MHT1002GNR3 | NXP Semiconductors / Freescale | Amplificateurs RF | 2554 |
MHT1002GNR3 | NXP USA Inc. | Amplificateurs RF | |
MHT1002NR3 | NXP Semiconductors / Freescale | Amplificateurs RF | 2702 |
MHT1002NR3 | NXP USA Inc. | Amplificateurs RF | |
MHT1003NR3 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - FETs, MOSFETs - RF | 2625 |
MHT1003NR3 | NXP USA Inc. | Transistors MOSFET RF |
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