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PBLS2002S,115 Spécifications techniques

TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 20V
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
Power - Max 1.5W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA, 100nA
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Supplier Device Package 8-SO
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 3A
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