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PDTA123YS,126
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PDTA123YS,126 Spécifications techniques
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés |
Manufacturer | NXP Semiconductors / Freescale |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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PDTA113EE,115 | NXP USA Inc. | Transistors BJT pré-polarisés | |
PDTA113EK | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 12265 |
PDTA113EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2544 |
PDTA113EK,115 | NXP USA Inc. | Transistors BJT pré-polarisés | |
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PDTA113EM,315 | Nexperia USA Inc. | Transistors BJT pré-polarisés | |
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