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PH5330E,115
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PH5330E,115 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | NXP Semiconductors / Freescale |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2010pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
Package / Case | SC-100, SOT-669 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
PH5330E,115 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PH5330 | PHI | Circuits intégrés spécialisés | 45673 |
PH5330E | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 14630 |
PH5330E IC | PHILIPS | Circuits intégrés spécialisés | 1290 |
PH5330E+115 | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 462 |
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