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PHD108NQ03LT,118
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PHD108NQ03LT,118 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | NXP Semiconductors / Freescale |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Supplier Device Package | DPAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1375pF @ 12V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.3nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
PHD108NQ03LT,118 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PHD101NQ03LT | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 13133 |
PHD101NQ03LT MOS | PHILIPS | Circuits intégrés spécialisés | 664 |
PHD101NQ03LT,118 | Nexperia | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2736 |
PHD101NQ03LT,118 | Nexperia USA Inc. | Transistors MOSFET simples | |
PHD108NQ0 | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 2500 |
PHD108NQ03 | PH | Circuits intégrés spécialisés | 42 |
PHD108NQ03CT | PH | Circuits intégrés spécialisés | 2894 |
PHD108NQ03LT | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 108078 |
PHD108NQ03LT ,118 | PHILIPS | Circuits intégrés spécialisés | 2416 |
PHD108NQ03LT MOS | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 524 |
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