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PHD3055E,118 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.3A (Tc)
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