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PHX45NQ11T,127 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 110V 30.4A SOT186A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 110V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30.4A (Tc)
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