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PMT200EN,115 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-223
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 8.3W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235 mOhm @ 1.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 80V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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