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PMWD30UN,518
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PMWD30UN,518 Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | NXP Semiconductors / Freescale |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
Series | TrenchMOS™ |
Power - Max | 2.3W |
Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-TSSOP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1478pF @ 10V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PMWD30UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFETs Transistors Arrays |
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