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BC857B/DG/B3,215
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BC857B/DG/B3,215 Spécifications techniques
TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 250mW |
Other Names | 934066595215 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount TO-236AB |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Frequency - Transition | 100MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
BC857B/DG/B3,215 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
BC857 | Original | Circuits intégrés spécialisés | 3409 |
BC857 3F | CJ | Circuits intégrés spécialisés | 3058 |
BC857 3G | CHANGDIAN | Circuits intégrés spécialisés | 15261 |
BC857 3H | Original | Circuits intégrés spécialisés | 30454 |
BC857 3K | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 2725 |
BC857 IC | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 466 |
BC857,215 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2527 |
BC857,215 | Nexperia USA Inc. | Transistors BJT simples | |
BC857,235 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2671 |
BC857,235 | Nexperia USA Inc. | Transistors BJT simples |
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