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BSR30,115
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BSR30,115 Spécifications techniques
TRANS PNP 60V 1A SOT89
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 1.35W |
Package / Case | TO-243AA |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 100mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Supplier Device Package | SOT-89-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
BSR30,115 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
BSR30 | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 4411 |
BSR30,115 | Nexperia USA Inc. | Transistors BJT simples | |
BSR302N | I | Circuits intégrés spécialisés | 120868 |
BSR302N H6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 12894 |
BSR302N L6327 | Infineo | Circuits intégrés spécialisés | 120810 |
BSR302N MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 16262 |
BSR302NL6327 | Son | Circuits intégrés spécialisés | 311700 |
BSR302NL6327HTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2749 |
BSR302NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
BSR30F | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2573 |
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