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PBSS5360ZX
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PBSS5360ZX Spécifications techniques
TRANS PNP 60V 3A SOT223
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 650mW |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 300mA, 3A |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 130MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PBSS5112PAP,115 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 2535 |
PBSS5112PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Tableaux BJT Transistors | |
PBSS5120T | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 992 |
PBSS5120T,215 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2686 |
PBSS5120T,215 | Nexperia USA Inc. | Transistors BJT simples | |
PBSS5120T215 | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 3797 |
PBSS5130PAP | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 2565 |
PBSS5130PAP,115 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 2615 |
PBSS5130PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Tableaux BJT Transistors | |
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