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PDTB123ET,215
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PDTB123ET,215 Spécifications techniques
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 2.2k |
Power - Max | 250mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Supplier Device Package | TO-236AB (SOT23) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
PDTB123ET,215 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PDTB113EK | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 27413 |
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PDTB113EQAZ | Nexperia USA Inc. | Transistors BJT pré-polarisés | |
PDTB113ES,126 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2592 |
PDTB113ES,126 | NXP USA Inc. | Transistors BJT pré-polarisés | |
PDTB113ET | PHILIPS | Circuits intégrés spécialisés | 12443 |
PDTB113ET,215 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2712 |
PDTB113ET,215 | Nexperia USA Inc. | Transistors BJT pré-polarisés |
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