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PDTC114EU,115
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PDTC114EU,115 Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-323-3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
PDTC114EU,115 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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PDTC114EE | SOD523 | Circuits intégrés spécialisés | 5811 |
PDTC114EE,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2580 |
PDTC114EE,115 | NXP USA Inc. | Transistors BJT pré-polarisés | |
PDTC114EE/DG | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 3550 |
PDTC114EE115 | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 2526 |
PDTC114EEF | PHILIPS | Circuits intégrés spécialisés | 4000 |
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