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PEMD48,115
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PEMD48,115 Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | SOT-666 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k, 22k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PEMD4 | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 28300 |
PEMD4,115 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2594 |
PEMD4,115 | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT | |
PEMD48 | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 3025 |
PEMD48,115 | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT |
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