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PEMH30,115
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PEMH30,115 Spécifications techniques
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-666 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PEMH30 | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 4470 |
PEMH30,115 | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT | |
PEMH30,315 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2643 |
PEMH30,315 | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT |
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