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PHB18NQ10T,118 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 633pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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