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PHD38N02LT,118
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PHD38N02LT,118 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | DPAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 25A, 5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 20V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 57.6W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44.7A (Tc) |
PHD38N02LT,118 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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PHD38N02LT | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 413 |
PHD38N02LT IC | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 1318 |
PHD38N02LT MOS | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 2913 |
PHD38N02LT,118 | Nexperia USA Inc. | Transistors MOSFET simples |
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