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PMGD175XNEX
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PMGD175XNEX Spécifications techniques
MOSFET ARRAY 2NCH 30V 6-TSSOP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 252 mOhm @ 900mA, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 81pF @ 15V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 6-TSSOP |
Power - Max | 260mW (Ta) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.65nC @ 4.5V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 870mA (Ta) |
PMGD175XNEX Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PMGD130UN | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 17301 |
PMGD130UN ,115 | NEXP | Circuits intégrés spécialisés | 3756 |
PMGD130UN,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 19896 |
PMGD130UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFETs Transistors Arrays | |
PMGD130UN,115 | Rochester Electronics, LLC | MOSFETs Transistors Arrays | |
PMGD175XN | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 17453 |
PMGD175XN ,115 | NEXP | Circuits intégrés spécialisés | 4113 |
PMGD175XN,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 3650 |
PMGD175XN,115 | NXP USA Inc. | MOSFETs Transistors Arrays | |
PMGD175XN,115 | Rochester Electronics, LLC | MOSFETs Transistors Arrays |
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