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PMV213SN,215
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PMV213SN,215 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 280mW (Tj) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-236AB (SOT23) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 20V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Tc) |
PMV213SN,215 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PMV213APW | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 3406 |
PMV213SN | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 90201 |
PMV213SN ,215 | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 3489 |
PMV213SN MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 24757 |
PMV213SN T/R | GP | Circuits intégrés spécialisés | 12000 |
PMV213SN,215 | Nexperia USA Inc. | Transistors MOSFET simples | |
PMV213SN215 | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 637 |
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