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PSMN165-200K,518
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PSMN165-200K,518 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 2.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1330pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 3.5W (Tc) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Tc) |
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