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PSMN1R4-30YLDX Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.42 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3840pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Power Dissipation (Max) 166W (Tc)
Package / Case SC-100, SOT-669
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54.8nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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