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PSMN4R8-100PSEQ
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PSMN4R8-100PSEQ Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V TO220AB
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tj) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Power Dissipation (Max) | 405W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 278nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
PSMN4R8-100PSEQ Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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PSMN4R0-30YL,115 | Nexperia USA Inc. | Transistors MOSFET simples | |
PSMN4R0-30YLD | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 2368 |
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PSMN4R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. | Transistors MOSFET simples |
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