2N5195G Spécifications techniques

2N5195G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 40W
Current Rating -4A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Gain Bandwidth Product 2MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 4A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.4V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 11.04mm
Width 2.66mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -80V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 2MHz
Base Part Number 2N5195
Number of Elements 1
Power Dissipation 40W
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 80V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 1.5A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.4V @ 1A, 4A
Transition Frequency 2MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 80V
hFE Min 20
Length 7.74mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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