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2N5366 Spécifications techniques

2N5366 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Voltage - Rated DC -40V
Terminal Position BOTTOM
Reach Compliance Code unknown
Base Part Number 2N5366
Number of Elements 1
Power Dissipation 625mW
Transistor Type PNP
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 100
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 625mW
Terminal Form WIRE
Current Rating -500mA
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 30mA, 300mA
Transition Frequency 250MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 4V
Collector-Base Capacitance-Max 8pF
Lead Free Lead Free
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