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2N5551RLRA Spécifications techniques
2N5551RLRA datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 625mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
Current Rating | 600mA |
Base Part Number | 2N5551 |
JESD-30 Code | O-PBCY-T3 |
Number of Elements | 1 |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 200mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Transition Frequency | 100MHz |
Max Breakdown Voltage | 160V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 6V |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e0 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.21.00.95 |
Voltage - Rated DC | 160V |
Terminal Position | BOTTOM |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Element Configuration | Single |
Gain Bandwidth Product | 300MHz |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 600mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 160V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 250mV |
Collector Base Voltage (VCBO) | 180V |
hFE Min | 80 |
Lead Free | Contains Lead |
2N5551RLRA Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2N5550 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 88610 |
2N5550 | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
2N5550 | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
2N5550BU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2592 |
2N5550BU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2525 |
2N5550BU | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
2N5550BU | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
2N5550G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 757 |
2N5550G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
2N5550G | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples |
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