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2N5770_D26Z Spécifications techniques
TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors RF BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Part Status | Obsolete |
Base Part Number | 2N5770 |
Transistor Type | NPN |
Gain | 15dB |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Power - Max | 350mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 8mA 10V |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 6dB @ 60MHz |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2N5770 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 47222 |
2N5770 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 47163 |
2N5770 | Central Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 1884 |
2N5770 | ON Semiconductor | Transistors RF BJT | |
2N5770 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistors RF BJT | |
2N5770_D26Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2583 |
2N5770_D26Z | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2608 |
2N5770_D27Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2782 |
2N5770_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2720 |
2N5770_D27Z | ON Semiconductor | Transistors RF BJT |
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