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2N5884G Spécifications techniques
2N5884G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 5 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
Number of Pins | 2 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tray |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 200W |
Terminal Form | PIN/PEG |
Current Rating | -25A |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 2 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Gain Bandwidth Product | 4MHz |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 25A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 80V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Height | 26.67mm |
Width | 8.509mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Weight | 4.535924g |
Operating Temperature | -65°C~200°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | -80V |
Terminal Position | BOTTOM |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 4MHz |
Base Part Number | 2N5884 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 200W |
Transistor Application | SWITCHING |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 80V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 10A 4V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 6.25A, 25A |
Transition Frequency | 4MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 80V |
hFE Min | 20 |
Length | 39.37mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
2N5884G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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2N5881 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 20866 |
2N5881G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 20866 |
2N5882 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 20866 |
2N5882G. | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 20866 |
2N5883 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 20866 |
2N5883G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2685 |
2N5883G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
2N5883G. | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 20866 |
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