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2N6034G Spécifications techniques

2N6034G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 40W
Current Rating 4A
Base Part Number 2N6034
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type PNP - Darlington
Max Collector Current 4A
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 11.04mm
Width 2.66mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -40V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Polarity PNP
Power Dissipation 1.5W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 2A 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Transition Frequency 25MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
Continuous Collector Current 4A
Length 7.74mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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