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2SA1020RLRAG Spécifications techniques

2SA1020RLRAG datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 900mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 100MHz
Base Part Number 2SA1020
Number of Elements 1
Power Dissipation 900mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A
Transition Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 7.87mm
Width 4.19mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating -2A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 100MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 500mV
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 70
Length 5.21mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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2SA1006B-AZ NEC Circuits intégrés spécialisés 2309
2SA1008 FSC Circuits intégrés spécialisés 2754
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