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2SA1417S-TD-E Spécifications techniques
2SA1417S-TD-E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 9 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e6 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 500mW |
Element Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 2A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 100V |
Collector Emitter Saturation Voltage | -220mV |
Collector Base Voltage (VCBO) | -120V |
Height | 1.5mm |
Width | 2.5mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Package / Case | TO-243AA |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
Pin Count | 3 |
Gain Bandwidth Product | 120MHz |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 100V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 100mA, 1A |
Max Frequency | 120MHz |
Max Breakdown Voltage | 100V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | -6V |
Length | 4.5mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
2SA1417S-TD-E Documents
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Feuilles de données
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---|---|---|---|
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