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2SB1216T-TL-E Spécifications techniques
2SB1216T-TL-E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 6 Weeks |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2011 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 1W |
Base Part Number | 2SB1216 |
Power - Max | 1W |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 100V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
Frequency - Transition | 130MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | -6V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
HTS Code | 8541.29.00.75 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 3 |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 4A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 100V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 120V |
hFE Min | 70 |
Lead Free | Lead Free |
2SB1216T-TL-E Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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2SB1201S MOS | Sanyo Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2549 |
2SB1201S-E | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 11495 |
2SB1201S-E | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
2SB1201S-TL | Sanyo Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 111569 |
2SB1201S-TL-E | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2541 |
2SB1201S-TL-E | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
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